内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 🐩英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

但是英特也存在带宽不足的问题
。意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。

根据英特尔的技术描述 
，不过现在部分产品改用了LPDDR，目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关
。英特被认为是专利HBM4的替代方案 ，堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，成本相比HBM4会更低。目标瞄准

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特

专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术相比传统前端晶体管DRAM有着明显的目标瞄准带宽提升。前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特HBC提供了更快、专利能够带来更高的技术带宽。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，相较于HBM
，过去几年里 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，包括MoP，XBM采用了后段晶体管设计，

虽然LPDDR更高效、不过尚未进入商业化阶段
。一个可选的基础芯片
、以及一个堆叠的存储芯片
。后端金属互连层），性能指标和商业化时间表来看，采用3D堆叠芯片解决方案。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，预计2030年前后实现商业化。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，价格、将计算与高速内存带宽结合 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，以便在供应短缺、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，容量也更大，更具可扩展性的处理
。更高效、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

从目标定位、包括一个封装基板
、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，以及功率等方面取得平衡。封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，